Общие
| Gate Charge | 80 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Field Stop |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | Die |
| Корпус производителя | Wafer |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
|---|