NXH040F120MNF1PG

onsemi

NXH040F120MNF1PG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 4N-CH 1200V 30A 22PIM

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 25A, 20V
Базовый Part NumberNXH040
Конфигурация4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122.1nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1505pF @ 800V
Производительonsemi
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 10mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Power - Max74W (Tj)

Механические

КорпусTray
Package / CaseModule
Корпус производителя22-PIM (33.8x42.5)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)