NXH020F120MNF1PTG

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 4N-CH 1200V 51A 22PIM

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 50A, 20V
Базовый Part NumberNXH020
Конфигурация4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs213.5nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2420pF @ 800V
Производительonsemi
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc)
Power - Max119W (Tj)

Механические

КорпусTray
Package / CaseModule
Корпус производителя22-PIM (33.8x42.5)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 175°C (TJ)