NXH010P90MNF1PG

onsemi

NXH010P90MNF1PG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 2N-CH 900V 154A

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 100A, 15V
Базовый Part NumberNXH010
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs546.4nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7007pF @ 450V
Производительonsemi
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 40mA

Электрические

Напряжение сток-исток900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C154A (Tc)
Power - Max328W (Tj)

Механические

КорпусTray
Package / CaseModule

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)