NXH010P120MNF1PG

onsemi

NXH010P120MNF1PG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SIC 2N-CH 1200V 114A

В производствеModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 100A, 20V
Базовый Part NumberNXH010
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs454nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4707pF @ 800V
Производительonsemi
Тип монтажаChassis Mount
Product StatusActive
ТехнологияSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 40mA

Электрические

Напряжение сток-исток1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C114A (Tc)
Power - Max250W (Tj)

Механические

КорпусTray
Package / CaseModule

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)