NVTYS029N08HTWG

onsemi

NVTYS029N08HTWG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

T8 80V N-CH SG IN LFPAK33

В производствеSOT-1205, 8-LFPAK56Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs32.4mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds369 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A (Ta), 21A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 33W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Корпус производителя8-LFPAK

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)