NVTR01P02LT1G

onsemi

NVTR01P02LT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 750mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 5 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность400mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3 (TO-236)