NVTFWS8D1N08HTAG

onsemi

NVTFWS8D1N08HTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

80V T8 IN U8FL HEFET PACK

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 61A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 75W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-WDFNW (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)