NVTFWS014P04M8LTAG

onsemi

NVTFWS014P04M8LTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.8mOhm @ 15A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1734 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 420µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.3A (Ta), 49A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.2W (Ta), 61W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-WDFN (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)