NVTFS6H880NTAG

onsemi

NVTFS6H880NTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds370 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.3A (Ta), 21A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 31W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-WDFN (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)