NVTFS6H860NWFTAG

onsemi

NVTFS6H860NWFTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs21.1mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 30µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta), 30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 46W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101