NVTFS4C25NTAG

onsemi

NVTFS4C25NTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.1A (Ta), 22.1A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Ta), 14.3W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101