NVTFS052P04M8LTAG

onsemi

NVTFS052P04M8LTAG

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs69mOhm @ 5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds424 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 95µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.9W (Ta), 23W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-WDFN (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)