NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi

NVMYS6D2N06CLTWG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 17A/71A 4LFPAK

В производствеSOT-1023, 4-LFPAKАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.1mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 53µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 71A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.6W (Ta), 61W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяLFPAK4 (5x6)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101