NVMTS4D3N15MC

onsemi

NVMTS4D3N15MC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.45mOhm @ 95A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6514 pF @ 75 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 521µA

Электрические

Напряжение сток-исток150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 165A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность5W (Ta), 292W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101