NVMTS1D5N08H

onsemi

NVMTS1D5N08H

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8220 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 490µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Ta), 273A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность5W (Ta), 258W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-DFNW (8.3x8.4)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)