NVMTS1D2N08H

onsemi

NVMTS1D2N08H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10100 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 590µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43.5A (Ta), 337A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность5W (Ta), 300W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101