NVMS5P02R2G

onsemi

NVMS5P02R2G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 5.4A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 16 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.25V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.95A (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101