NVMJST1D2N04CTXG

onsemi

NVMJST1D2N04CTXG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

В производстве10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5340 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 200µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C451A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность454W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101