NVMJS1D5N04CLTWG

onsemi

NVMJS1D5N04CLTWG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK

В производствеSOT-1205, 8-LFPAK56Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4300 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 130µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Ta), 200A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 110W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
Корпус производителя8-LFPAK

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)