NVMFWS2D3P04M8LT1G

onsemi

NVMFWS2D3P04M8LT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MV8 P INITIAL PROGRAM

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 30A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5985 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 2.7mA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Ta), 222A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 205W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Корпус производителя5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)