Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7mOhm @ 50A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4657 pF @ 25 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
| Напряжение сток-исток | 40 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 331A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 134W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Корпус производителя | 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|