NVMFWS021N10MCLT1G

onsemi

NVMFWS021N10MCLT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

PTNG 100V LL SO8FL

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 42µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta), 31A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.6W (Ta), 49W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Корпус производителя5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)