Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 23A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12120 pF @ 15 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.7A (Ta), 234A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3.9W (Ta), 168.7W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Корпус производителя | 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|