NVMFS6H848NLWFT1G

onsemi

NVMFS6H848NLWFT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1420 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 70µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 59A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.7W (Ta), 73W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Корпус производителя5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)