NVMFS6H800NLT1G

onsemi

NVMFS6H800NLT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6900 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 330µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta), 224A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.9W (Ta), 214W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101