NVMFS5H610NLT1G

onsemi

NVMFS5H610NLT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

T8 60V LOW COSS

Снят с производства8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds880 pF @ 30 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 40µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 48A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.6W (Tc), 52W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101