NVMFS5833NT3G

onsemi

NVMFS5833NT3G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 40V 16A 5DFN

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 40A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1714 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3.7W (Ta), 112W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101