NVMFS5831NLWFT1G

onsemi

NVMFS5831NLWFT1G

Аналоговые и силовые компоненты

T2 40V LL, SINGLE NCH, SO-8FL 2

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.95mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4946 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 161A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.8W (Ta), 143W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Корпус производителя5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)