NVMFS4C01NT3G

onsemi

NVMFS4C01NT3G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

Снят с производства8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10144 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Ta), 319A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.84W (Ta), 161W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101