NVMFS024N06CT1G

onsemi

NVMFS024N06CT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 8A/25A 5DFN

В производстве8-PowerTDFN, 5 LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds333 pF @ 30 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta), 25A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.4W (Ta), 28W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
Корпус производителя5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)