NVMFD6H852NLT1G

onsemi

NVMFD6H852NLT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25.5mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberNVMFD6
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds521 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 26µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta), 25A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.2W (Ta), 38W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителя8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)