Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.9mOhm @ 10A, 10V |
|---|---|
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 793pF @ 25V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
| Напряжение сток-исток | 60V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
| Power - Max | 3.1W (Ta), 45W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Корпус производителя | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |