Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 40A, 18V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3175 pF @ 800 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 20mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 68A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 352W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |