NVGS3130NT1G

onsemi

NVGS3130NT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

В производствеSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 5.6A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds935 pF @ 16 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность600mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителя6-TSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)