NVD5117PLT4G

onsemi

NVD5117PLT4G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 29A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 61A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность4.1W (Ta), 118W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101