NVBLS1D7N08H

onsemi

NVBLS1D7N08H

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL

В производстве8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7675 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 479µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 241.3A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность4.4W (Ta), 237.5W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101