NVBLS1D1N08H

onsemi

NVBLS1D1N08H

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF

В производстве8-PowerSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.05mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11200 pF @ 40 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 650µA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Ta), 351A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность4.2W (Ta), 311W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Корпус производителя8-HPSOF

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)