NVB6410ANT4G

onsemi

NVB6410ANT4G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 76A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4500 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR)
Статус позицииУстаревший
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность188W (Tc)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101