NVB150N65S3F

onsemi

NVB150N65S3F

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1999 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSuperFET® III, FRFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 540µA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность192W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Корпус производителяD²PAK-3 (TO-263-3)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101