NVB110N65S3F

onsemi

NVB110N65S3F

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2560 pF @ 400 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 3mA

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность240W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK-3 (TO-263-3)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)