NVATS5A114PLZT4G

onsemi

NVATS5A114PLZT4G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 28A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность72W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101