NTZD5110NT1G

onsemi

NTZD5110NT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Базовый Part NumberNTZD5110
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24.5pF @ 20V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C294mA
Power - Max250mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяSOT-563

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)