NTZD3155CT1G

onsemi

NTZD3155CT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Базовый Part NumberNTZD3155
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 16V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C540mA, 430mA
Power - Max250mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяSOT-563

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)