NTTS2P03R2

onsemi

NTTS2P03R2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 2.1A MICRO8

Устаревший8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.48A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 24 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность600mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Корпус производителя8-MSOP

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)