NTTFS5826NLTAG

onsemi

NTTFS5826NLTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN

Устаревший8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta), 19W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-WDFN (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)