NTTFS010N10MCLTAG

onsemi

NTTFS010N10MCLTAG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.6mOhm @ 15A, 10V
Базовый Part NumberNTTFS010
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2150 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 85µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A (Ta), 50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.3W (Ta),52W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-WDFN (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)