NTTFD022N10C

onsemi

NTTFD022N10C

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN

В производстве12-PowerWQFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.8A, 10V
Базовый Part NumberNTTFD022
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds585pF @ 50V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 44µA

Электрические

Напряжение сток-исток100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 24A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 26W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerWQFN
Корпус производителя12-WQFN (3.3x3.3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)