NTS4173PT1G

onsemi

NTS4173PT1G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 1.2A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность290mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяSC-70-3 (SOT323)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)