NTR1P02T3G

onsemi

NTR1P02T3G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3

УстаревшийTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds165 pF @ 5 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность400mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3 (TO-236)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)